こんにちは、営業部のTZです。
ちょっと本ブログ記事の掲載が遅れてしまったのですが・・・。
2024年9月25日~27日に仙台市で開催されました3次元半導体の研究開発に関する国際学会IEEE International 3D Systems Integration Conference(3DIC)に出展いたしました!
本学会はIEEE EPS Japan Chapterが主催しており、ホテルメトロポリタン仙台および仙台国際ホテルにて開催されました。国内外の大学や企業などから220名もの研究者が参加、活発な質疑が行われました。
3DICはその名の通り、3次元集積回路(3D IC)に関する最新の研究成果や技術動向を共有する場となり、主にチップレット技術、光インターコネクト、マイクロダイハンドリング、新奇基板材料に焦点を当てた内容となっていました。
具体的なプログラムはこちら。
弊社はめっき装置と脱気システムの展示をしました
弊社は今回の出展におきまして、2つの製品についてパネル展示を行いました。
ウエハ/樹脂/ガラス基板用 電解めっき装置 TEAMシリーズ
3次元半導体やチップレットの研究開発、試作、量産のそれぞれの段階に応じた、卓上タイプ、半自動タイプ、自動搬送タイプのフェイスアップ式電解めっき装置、縦型ディップ式電解めっき装置をご紹介しました。
3次元半導体に不可欠となるTSVやRDL配線形成用のCuめっき、マイクロバンプの他、これからの新しい電子デバイスへの応用が期待される低融点はんだ材料としてのインジウムめっき、高透磁率特性を持つパーマロイめっき、低線膨張特性を持つインバーめっきなど、弊社が得意とする特殊な薄膜形成技術をご紹介。
お客様のご要求のプロセス性能を実現する最適なめっき装置をご提案しています。
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脱気システム Livalley
3次元半導体や半導体パッケージング向けに、シリコンウエハや樹脂基板のウェット処理時に問題となる気泡除去を目的とした小型装置です。
ウェットプロセスにおいては、基板表面の濡れ性やパターンの凹凸により、気泡がボイド発生の原因となる場合があります。
脱気システムLivalleyは、製品の品質向上、歩留まり向上、プロセス時間の短縮を目的とした小型モジュールです。
![](https://static.wixstatic.com/media/a3ddc1_08024a39c0704db3b693798ef8cac3a5~mv2.png/v1/fill/w_644,h_918,al_c,q_90,enc_auto/a3ddc1_08024a39c0704db3b693798ef8cac3a5~mv2.png)
めっき装置メーカーとしては、やはりめっきに関する研究テーマに注目!-「ハイブリッドボンディング」
昨今、生成AIやエッジコンピューティングにおいて、高性能なチップの実現において、
3次元半導体やチップレットといった最先端の研究開発が活発に行われています。
弊社はめっき装置メーカーとして、めっきに関連する研究テーマに注目しています。
今回、シリコンウエハ同士を直接貼り合わせる技術「ハイブリッドボンディング」をテーマとした発表が多数見られました。ハイブリッドボンディングにより、チップ間の接続距離を大幅に短縮することができ、チップの性能も大きく向上させることができます。
ハイブリッドボンディングでは、銅ダマシンめっきにより微細な配線が形成されます。
めっき後、CMP装置による平坦化を行い、常温で酸化膜部分を接合した後に熱処理を行い、銅配線の膨張により拡散接合が行われます。銅めっき膜の電気的特性、機械的特性などの面からの研究が行われています。
また、横浜国立大学の井上研究室から、量子コンピュータ分野において、低融点はんだ材料として利用されているインジウムに関する発表がありました。
インジウムは極低温において、超電導を発現する金属の一つであることから、量子コンピュータの配線材料としての利用が検討されています。
井上先生の研究室では、弊社の卓上電解めっき装置をご利用いただいております。
横浜国立大学 井上研究室のHPはこちら↓
過去にJSTのA-STEPにおいて共同研究をさせていただいた関西大学 新宮原研究室からは、今回、高アスペクト比TSVのバリアシード層形成を目的とした無電解めっきによるCoMn薄膜が、以前からのCoWB薄膜の課題であった密着性の向上が確認され、また低い電気抵抗を示すことから直接銅めっきによりフィリングできることが示唆されました。
関西大学 新宮原研究室のHPはこちら↓
めっきによる配線形成プロセスでお困りの方、お待ちしています
過去のA-STEPについては、こちらの関連記事をご参照ください。
「めっきによるオールウェット微細配線の形成技術開発のお話」
「Φ8インチ極深孔TSVウエハへの無電解バリアシードめっき膜の形成」
弊社では、市場の要求にタイムリーにお応えできるよう、最先端の研究開発の動向に注目しながら、めっき装置の研究開発を行っております。
いままでになかった装置の開発にも積極的にチャレンジしていきます。
貴社の新製品の研究開発において、めっきによる配線形成プロセスに何か課題がありましたら、ぜひ一度弊社にご相談ください。
東設に興味を持っていただいた方はこちらから。
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