こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解CoWBめっきによりバリア層形成を行い、電解Cuめっきによるコンフォーマルな配線形成により、低コストなTSV形成技術を実現させる、弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、無電解めっきによるCu拡散バリア層、シード層形成から、電解めっきによる配線形成を1台の装置で一気通貫に処理可能なめっき装置及びプロセス開発のお話をさせていただこうと思います。 最先端デバイスのモノづくりに不可欠なめっきプロセス...

こんにちは、研究開発部のTRです。 本記事では、次世代電子デバイスのキーテクノロジーであるシリコン貫通電極(TSV)形成を低コストで実現させる弊社めっき技術開発のお話をさせていただこうと思います。 チップ間の配線距離の最短化に必要なテクノロジーとなるシリコン貫通電極(TSV...